Datasheet下载- 型号： IPP050N06N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP050N06N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP050N06N G价格参考。InfineonIPP050N06N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP050N06N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP050N06N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IPP050N06N G 的MOSFET属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的场合。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合用于中高功率的电力电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于高效能能量转换。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制电路。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动车辆、储能系统中，作为充放电控制开关。 4. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统中实现电能形式的转换。 5. 负载开关：用于高侧或低侧开关控制，替代传统继电器，提高系统可靠性和寿命。 6. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，符合汽车级工作温度和可靠性要求。 该MOSFET采用PG-HDIP封装，具备良好的散热性能，适合高电流应用场景。其60V耐压和50A额定电流能力，使其在多种中功率应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP050N06N+G+Rev1.14.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eda804a91 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP050N06N G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6100pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 167nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP050N06N G-ND |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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